ДИАГНОСТИКА ТОНКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СЛОЕВ С ПОМОЩЬЮ СПЕКТРОСКОПИИ ПОВЕРХНОСТНОГО ПЛАЗМОННОГО РЕЗОНАНСА С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СВЕТА КРУГОВОЙ ПОЛЯРИЗАЦИИ
Валерий Васильевич Яцышен
Доктор технических наук, профессор, кафедра судебной экспертизы и физического материаловедения, Волгоградский государственный университет Этот адрес электронной почты защищен от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
просп. Университетский, 100, 400062 г. Волгоград, Российская Федерация
Аннотация. В работе представлены результаты расчетов эллипсометрических параметров отраженного света от тонких полупроводниковых слоев в условиях поверхностного плазмонного резонанса. В качестве объектов исследования использованы слои из InSb и GaAs. В методе спектроскопии поверхностного плазмонного резонанса основным параметром является разность углов, в которых достигается минимумы коэффициентов отражения соответственно со слоем и без него. Показано, что в случае InSb-слоя характерные минимумы в угловых спектрах эллипсометрического параметра ρ отстоят друг от друга на 6,1°. Различия в минимумах для эллипсометрического параметра Δ составляют 6,8°. Для случая GaAs эти различия имеют следующие значения: для параметра ρ разность составляет 3,55°, для параметра Δ разность равна 3,90°. Проведенный анализ является расширением обычного метода спектроскопии поверхностного плазмонного резонанса на случай поляризованного света и показывает высокую эффективность предложенного метода для диагностики тонких слоев полупроводниковых материалов.
Ключевые слова: метод спектроскопии поверхностного плазмонного резонанса, метод характеристических матриц, эллиптически поляризованный свет, свет круговой поляризации, эллипсометрия.
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
 2_Yatsyshen.pdfURL: https://ti.jvolsu.com/index.php/ru/component/attachments/download/914 | 21 Скачивания |  |